서로 다른 기술의 층위
셀을 더 작게 만드는 일, 여러 다이를 쌓는 일, 다이 사이를 연결하는 일은 구분된다. 따라서 4F² 셀과 웨이퍼 본딩을 반드시 서로 대체하는 기술로 볼 수는 없다. 2026년 ISSCC에는 4F² 셀과 웨이퍼 간 하이브리드 구리 본딩을 함께 적용한 16Gb D램 시험 칩이 보고됐다.
하이브리드 본딩의 원리
하이브리드 본딩은 절연층과 금속 접점을 함께 접합하는 기술이다. 구리 접점을 직접 연결해 기존 범프 연결보다 연결 간격을 줄이고 더 촘촘한 데이터 경로를 구성하는 데 이용한다.
어떤 개선을 기대하는가
수직 집적에서 연결 길이가 짧아지면 대역폭, 지연 시간, 에너지 효율 개선을 설계할 여지가 생긴다. 더 많은 메모리를 가까이 연결하는 방향은 AI 연산 같은 데이터 이동이 많은 작업과 관련이 깊다. 다만 특정 앱의 체감 속도가 몇 배 오른다는 보장은 아니다.
제조 방식과 과제
웨이퍼끼리 붙이는 W2W와 개별 다이를 웨이퍼에 붙이는 D2W는 생산성과 양품 선택에서 장단점이 다르다. 수직 적층에는 발열, 검사, 수율, 전력 공급, 비용과 신뢰성 문제도 함께 따른다.
상용화를 읽는 기준
시험 칩의 동작 확인, 양산 공정 확보, 실제 제품 탑재는 서로 다른 단계다. 기사에 적층이나 본딩이 등장했다는 사실만으로 모든 D램이 곧 같은 구조로 바뀐다거나 소비자 제품 출시일이 정해졌다고 해석해서는 안 된다.